如何用一个三级管或一个场效应管实现电子音量控制,最好带电路图
如图。可以使用 mos 管简单实现。调整偏置的电阻 可以调整 －音量时的步进大小。G极保持电容，可以保证在一定时长音量不变（高品质低漏电的相关更好）。
k851场效应管做功率放大器的声音是很好的。场效应管的性能特性与电子管非常类似,场效应管的输入阻抗很高,非常适合于电压放大。
低频的温和度比晶体管功放差,场效应管容易被输出和输入过载损坏。 开启电压太高。
看来你是一个电子制作爱好者，一般来说三极管制作功放机简单，但方大系数小，必须有一个前级电压放大电路推动他，才可以推动喇叭。如果你要安装一个功放机，我给你介绍一个功放机专用集成块，自己组装，电路周围使用元件比较少，只要按照电路图焊接无误，不用调试一次成功。
k1531场效应管 采用的是14纳米的高通骁龙625处理器,这款处理器的性能虽然一般般,但是它的功耗控制的相当优秀,而且不会发热,续航时间也十分长。
可以的。拓展：场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
场效应管与三极管做功放音质对比?
这两款对比的音质功放对比来说,肯定是后者要比前者出色太多,因为前者仅仅支持当然生气,而后者支持哈曼卡顿调教的立体声双扬声器。
TDA7293内部结构分为三级：差分输入级由双极型晶体管组成，推动级和功率输出级采用场效应管，这种结构可以综合双极型晶体管低噪音和功率场效应管在线性、温度系数、音色上的优势。音色优美，兼顾了双极信号处理电路和MOS功率管的优点，具有低失真、低噪音、高耐压以及开关机静音、过热保护、短路保护等优点。
场效应管和三极管都可以在功放电路中做功放管使用,要区分功放电路中的功放管属于场效应管还是三极管,可以通过功放管的型号标识加以区分,看前缀:一般2SA。
场效应管功放和金封管都有各自的优势。场效应管功放具有低功耗、高效率、低噪音等特点,适用于音频放大器和低功率应用。
此电路为场效应管有源均流，速度快，输入输出线 性化，是理想的交流电流放大电路。
求三肯对管2SA1494,2SC3858的功放电路图
3．2SC5171／2SA1930推动6只2SK851，原理图如图4所示，超大电流MOS场效应管2SK851具有开关速度快、导通电阻小、失真率低等特点。目前仍无场效应管与之配对，该电路采用准互补输出的形式，2SK851曾在天龙PWA－2000N功放中使用过。
如果想练手，就找6n6n3或6n11等前级管子，后级用6P16P3P、6P6等电子管，价格较便宜，而且他们的输出阻抗也很接近，电源可以到旧物市场找老无线电拆用，输出变压器可以找5-10W左右的初级阻抗5500欧姆左右的线间变压器代用，音色不会太好但肯定能用。
电路如图1所示，推动级采用了意法（SGS－THOMSON）公司的新品TDA7294，该芯片内部推动级和输出级均使用了DMOS场效应管，用±40V供电，输出功率可达70W（RMS／8Ω）、低失真（0．005％），音色细腻、听感极佳，乃近年来屈指可数的优秀芯片。
场效应管功放温度80度以下的是正常。 功放管散热片都烫,特别是大功率的,80度正常。
功放机的功放块和场效应管有什么取别?
功放集成块是把整个功放电路的主要部件集成在了一起,只需要通过加接少量的外部元件接即可形成完整的功放电路,而功放内部的功放管可以采用三极管。
普通晶体管在工作时,由于输入端(发射结)加的是正向偏压,因此输入电阻是很低的,场效应管的输入端(栅极与源极之间)工作时可以施加负偏压即反向偏压,也可以加正向偏压,因此增加了电路设计的变通性和多样性。
场效应管的单端功放与电子管单端功放都属于电压型功放,音质差不多的。
本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。特征频率fT放大电路上限频率fH的关系为：fT≈fhβh，系统阶跃相应的上升时间tr与放大电路上限频率的关系为：trfh=0.35。
TDA7293内部结构分为三级：差分输入级由双极型晶体管组成，推动级和功率输出级采用场效应管，这种结构可以综合双极型晶体管低噪音和功率场效应管在线性、温度系数、音色上的优势。音色优美，兼顾了双极信号处理电路和MOS功率管的优点，具有低失真、低噪音、高耐压以及开关机静音、过热保护、短路保护等优点。
MOS管做功放怎么选择
电路和三极管差不多。区别就是一个是电流驱动元件，一个是电压驱动原件。原理都差不多。作用也差不多。只是从理论上来说，MOS管线性更好一些，接近电子管里面的五极管。FET管接近电子管里面的三极管。但是这些都是理论上来说的。实际MOS管功放未必就比双极型三极管功放的声音好听。
如N沟管,卸下,先短路GS,放电,正向测量DS应该开路,反向应该有一个PN结的导通,这是有续流管的原因。
功放集成块是把整个功放电路的主要部件集成在了一起，只需要通过加接少量的外部元件接即可形成完整的功放电路，而功放内部的功放管可以采用三极管，也可以采用场效应管做功放管，至于音质方面的区别，三极管功放没有场效应管做的功放的低音动态范围大，这是管材决定的。
可以的。拓展：场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
不可以。 场效应管分为N沟道与P沟道,工作原理不同。内部结构又分为结型与绝缘栅型,电路设计不同。
2SK1350是一款N沟道MOS场效应管,主要用于音频放大器和功率放大器电路中。其参数包括最大漏极电压为100V,最大漏极电流为10A,最大功率为100W。
设计一个场效应管放大电路
如图所试：这是一个用3DJ6结型场效应管制作的单管放大器，其中电路元件参数：C1=0.1微法（无极性电容），C2=10微法50伏电解电容，接D级一端为正极。
CS=4.7微法50伏电解电容，接地端为负极。RG=2兆欧姆，RD=100K欧姆，
RS=47K欧姆，RL=20-30K欧姆，电源电压ED=20伏
静态工作点：因为UGS=-IDRS,所以在转移特性曲线上，源极负载线是通过原点，斜率为tga=-1/RS的一条直线。源极负载线与转移特性的交点Q就是场效应管的静态工作点。Q点参数：ID=0.05毫安，UGS=-0.25伏。
电压放大倍数AU=-Rl`*gm
3DJ6的gm=1豪伏/伏,RL`=RD//RL=20K
Av=-1*20=20倍。
如图所试：这是一个用3DJ6结型场效应管制作的单管放大器，其中电路元件参数：C1=0.1微法（无极性电容），C2=10微法50伏电解电容，接D级一端为正极。
CS=4.7微法50伏电解电容，接地端为负极。RG=2兆欧姆，RD=100K欧姆，
RS=47K欧姆，RL=20-30K欧姆，电源电压ED=20伏
静态工作点：因为UGS=-IDRS,所以在转移特性曲线上，源极负载线是通过原点，斜率为tga=-1/RS的一条直线。源极负载线与转移特性的交点Q就是场效应管的静态工作点。Q点参数：ID=0.05毫安，UGS=-0.25伏。
电压放大倍数AU=-Rl`*gm
3DJ6的gm=1豪伏/伏,RL`=RD//RL=20K
Av=-1*20=20倍。
