电动车控制器场效应管可以做功放吗?
电动车控制器场效应管可以用来做功放,但其性能并不适合高质量的音频放大器。
场效应管功放的优点: 1.场效应管功放具有输出功率大、输出漏极电流具有负温度系数,平安牢靠,且有工作频率高,偏置简单等优点。
D1641即2SD1641。它的参数是： NPN三极管、 45V 、4A、 2.5W、 带阻尼 。
孪生场效应管是一种高性能的半导体器件,具有低电阻、高频率、低噪声等优点。其中比较出名的有IRF320IRF540N、IRF840和IRFP460等型号。
功放集成块是把整个功放电路的主要部件集成在了一起,只需要通过加接少量的外部元件接即可形成完整的功放电路,而功放内部的功放管可以采用三极管。
在功放电路中三极管和场效应管可以互换吗?两者有何区别?
不能。非得用的话改动电路以后才能用。区别:三极管是电流型器件,场管是电压型器件。 不能。非得用的话改动电路以后才能用。
功放机采用场效应管好,因为使用场效应管它有众多的优点,其中它的失真多是偶次谐波失真(有类似电子管功放机声音的表现),它音场稳定丶层次感和透明感适中。
这是末级功放的设计不同而已不存在好坏之分，irfz44n比irf630好一些。
输入功放管的型号就可以鉴别场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
肯定不行,场效应管的耐压,电流,触发电压都不一样,改装以后如果行。
2sk15302sj201功放板温补管用2s5171好还是IRF610场管好?
用IRF610好。场效应管本身就是负温度系数器材，只要把IRF610贴在散热器上安装，根据散热器的温度就可对末级功率管进行自动负温度调节。
把管子表面擦干净还是可以看的出来的。这类管子的型号是雕刻上去的。
场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样,要比普通晶体管简单得多,场效应管只是单纯地利用外加的输入信号以改变半导体的电阻,实际上是改变工作电流流通的通道大小,而晶体管是利用加在发射结上的信号电压以改变流经发射结的结电流,还包括少数载流子渡越基区后进入集电区等极为复杂的作用过程。
IRF630 200V 9A 75W NMOS场效应管，可用IRF23IRF953IRF53等，等于或大于该参数的NMOS场效应管代换。
厚膜功放块:用分立元件以高密度安装在一块基板上,形成一个完整的功放电路,然后封装,俗称傻爪功放。集成功放模块(电路):采用微电子技术将成千上万只元件集成在一块硅片上,形成一个完整的功率放大电路。场效应管只是单一的放大器件。
烧管,最好检查一下电源稳压部分,重点滤波电容和稳压管,还有就是喇叭功率大于功放一倍,功放带不动、喇叭短路。
场效应管功放板功率低只需要加大三极管就可以了吗?
不是，增加功率管的数量只能是增加带负载的能力，增加输出电流。不能有效增加输出功率。要增大输出功率，除了要增加末级输出功率管的数量，还得增大前置、激励级的放大倍数才行。
LM3886TF, 该芯片的最大优点是具有输出防冲击措施,所以不需用喇叭继电器延时,这一点最适合做低音炮用,因为低音炮的强烈震动容易使继电器触点跳动。
不是，增加功率管的数量只能是增加带负载的能力，增加输出电流。不能有效增加输出功率。要增大输出功率，除了要增加末级输出功率管的数量，还得增大前置、激励级的放大倍数才行。
场效应管的单端功放与电子管单端功放都属于电压型功放,音质差不多的。
IRF3205用于汽车功放管足够用了,功率比IRFZ34大多了,可以放心使用。 IRF3205用于汽车功放管足够用了,功率比IRFZ34大多了,可以放心使用。
用IRF610好。场效应管本身就是负温度系数器材，只要把IRF610贴在散热器上安装，根据散热器的温度就可对末级功率管进行自动负温度调节。
场效应管能代替功放管吗
疑问一：功放的输出功率不是功率管的数量决定的，决定功率的是供给功放的电压和负载决定的。供给功放管的电压越高，输出电压也越高。负载（喇叭阻抗）越小，输出功率越大。并管可以提高带载能力，但不能提高功率。如果原来音箱阻抗是8欧的，并管后接4欧功率就上来了。
疑问二：偏置管那里的2K电阻越小，偏压越小，D667/B647的电流就会增加。偏置管的主要用途是用来偏压调整，不能提高功率管的驱动电压。偏压太高会有交越失真，太低D667/B647电流会增加，因此很多设计是将电阻做成半可调来调节。如果要提高驱动功率管的电压，可以增加一级驱动。但如果仅是要增加功率，如果要增加的不多就没有必要了。功率增加后（供电电压提高后）注意D667/B647的功率也会增加，必要时更换TO-126封装的。
另外2N5551偏压管要贴紧散热片，可以作热耦合用。
电路是甲乙类的。
场效应管不能代替功放管。
场效应管是电压驱动型只要电压达到就能工作，电流可以忽略不计。功放管是电流驱动型必须电流才能驱动，两者不可替代。
场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
